BeSang запатентовала технологию, посредством которой память DRAM или SRAM можно размещать поверх логических схем или микропроцессорных ядер.
Технологическая новинка была совместно разработана специалистами Hitachi Global Storage Technologies и исследователями из университета штата Висконсин. Для получения отдельных магнитных доменов ими предложено использовать литографию.